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東莞溫補(bǔ)晶振TCXO設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2021-05-03   點(diǎn)擊量:487

溫補(bǔ)晶振恒溫晶振,壓控晶振,普通鐘振,這些都是有源晶振,所以有源晶振肯定需要電源加入才能工作。恒溫晶振,由于晶體振蕩器的震蕩頻率會(huì)隨著溫度的變化而變化,故為了保持頻率的穩(wěn)定性,將晶振控制在一個(gè)恒定的溫度下工作以此來(lái)提高晶振的相頻特性。溫補(bǔ)晶振TCXO溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國(guó)電子市場(chǎng)對(duì)壓電石英晶振的需求是越來(lái)越大了,從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展,尤其是近幾年時(shí)間國(guó)內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā),從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了溫補(bǔ)晶振TCXO

圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開(kāi)發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對(duì)網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.,就拿我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)像32.768KHZ系列的音叉型表晶,慢慢的就被音叉貼片式替代了,已經(jīng)成為小型化的走向,而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致,要求也越來(lái)越高,普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)的需求,所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展,而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭(zhēng)奪對(duì)象。本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心,包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬(wàn)用表等設(shè)備。(1)高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控,滿足-50~+80℃測(cè)試要求,箱內(nèi)的測(cè)量圈設(shè)有50個(gè)工位,每個(gè)工位通過(guò)5根導(dǎo)線連接一個(gè)待測(cè)補(bǔ)償電壓的半成品活件,分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.

溫補(bǔ)晶振TCXO1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性,及時(shí)處理不良品并分析原因;2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Wo(hù)中與外殼封裝起來(lái),以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能調(diào)整的方式:3)調(diào)節(jié)方式有機(jī)械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種4)可變?cè)ǔV缸內(nèi)荻O管、多圈電位器等。4)工作溫度范圍(Operatingtemp.range)振蕩器能夠正常工作,其頻率及其它輸出信號(hào)性能均不超過(guò)規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈,壓封倉(cāng)要連續(xù)沖氮?dú)猓⒃趬悍膺^(guò)程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾#駝t及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對(duì)稱(chēng)不可歪斜。

溫補(bǔ)晶振TCXO未來(lái)溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展,實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來(lái),國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高,實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm,第一年的頻率老化率為±1ppm,頻率(機(jī)械)微調(diào)≥±3ppm,電源功耗≤120mw溫補(bǔ)晶振TCXO頻率老化是不可避免的。同時(shí)方向可能為正也可能為負(fù)。又稱(chēng)為日老化率、長(zhǎng)穩(wěn)等。12)短期頻率穩(wěn)定度(Shorttermstability)振蕩器短時(shí)間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。注:以秒為單位,又稱(chēng)為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見(jiàn),TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而,科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就,它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。
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