并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。

壓控晶振H、OCXO主要技術(shù)指標定義的IEC標準1）標稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標明的工作頻率壓控晶振

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準點溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標稱頻率的偏差。壓控晶振溫補晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應用方面的精度要求。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應下頻率隨溫度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。壓控晶振

二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.

壓控晶振圖5間接補償目前的方法將補償網(wǎng)絡和拉網(wǎng)絡集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網(wǎng)絡的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣壓控晶振變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網(wǎng)絡輸出，溫補網(wǎng)絡隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。溫補網(wǎng)絡補償電壓的測量多為人工手動完成。用小功率直流電壓源代替溫補網(wǎng)絡，改變溫度到目標點并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達到中心頻率，此時電壓源輸出即為該溫度點的補償電壓；在各測試溫度點重復以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動測量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。,該電壓用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設置并存儲在片上存儲器中.