4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的，但實(shí)際上總會(huì)有所偏差，這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí)，通常振蕩器可以自己給

溫補(bǔ)晶振TCXO1、頻率準(zhǔn)確度，在百標(biāo)準(zhǔn)電源電壓，標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗，基準(zhǔn)溫度以及其他條件保持不變的情況下，石英晶體振蕩器的頻率相對與其規(guī)定標(biāo)稱值的最大允許偏差不得超過±50溫補(bǔ)晶振TCXO

。2、溫度穩(wěn)定度，其他規(guī)格條件保持不變，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)石英晶體振蕩器度輸出頻率的最大變化量相對于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值。全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

溫補(bǔ)晶振TCXO一、溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償原理振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定其它條件不變時(shí)，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

溫補(bǔ)晶振TCXO恒溫晶振溫補(bǔ)晶振恒溫晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會(huì)隨著溫度的變化而變化，故為了保持頻率的穩(wěn)定性，將晶振控制在一個(gè)恒定的溫度下工作以此來提高晶振的相頻特性溫補(bǔ)晶振TCXO（2）程控電源Agilent3631A支持GPIB接口程控，滿足獨(dú)立雙路供電，其中0~6V為E+供電，其分辨率可達(dá)2mV以內(nèi)；0~25V為TCXO系統(tǒng)提供工作電壓。（3）數(shù)字頻率計(jì)EE3386A1支持串口程控，用于獲取TCXO輸出頻率。。溫補(bǔ)晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會(huì)隨著溫度的變化而變化，為了抵消溫度對晶振頻率的影響，控制晶振的諧振電容隨溫度變化而變化，抵消溫度晶體影響提高頻率穩(wěn)定性。