注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。恒溫晶振壓控晶振是通過外加一個(gè)壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來改變電容值以達(dá)到改變頻率的效果恒溫晶振

并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補(bǔ)晶振它是采用內(nèi)置一個(gè)溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)來補(bǔ)償由于溫度帶來的度頻率偏差，達(dá)到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、

恒溫晶振3、負(fù)載:其他條件保持不變，負(fù)載在規(guī)問定變化答范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的最大允許頻偏本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬用表等設(shè)備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿足-50~+80℃測試要求，箱內(nèi)的測量圈設(shè)有50個(gè)工位，每個(gè)工位通過5根導(dǎo)線連接一個(gè)待測補(bǔ)償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.。4、電壓:其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。

恒溫晶振一般石英晶體的頻率都和溫度相關(guān)，我們所使用的晶體振蕩器，一般是在25度下達(dá)到最大精度(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。。溫度升高，頻率增大；溫度降低，頻率減小恒溫晶振。通常如果應(yīng)抄用在計(jì)時(shí)中，需要更高的精度，就需要進(jìn)行溫度補(bǔ)償。比如您知道zhidao，如果增加匹配電容的容值，就能使振蕩頻率降低。