（1）測(cè)試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，測(cè)試成品振蕩器f-T曲線，評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果?？梢钥闯?，獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。

恒溫晶振OCXO溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三知次曲線變化）通過外道圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器恒溫晶振OCXO

圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.

恒溫晶振OCXO1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，及時(shí)處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Ｗo(hù)中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對(duì)網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖氮?dú)猓⒃趬悍膺^程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾?，否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對(duì)稱不可歪斜。

恒溫晶振OCXO但通過分析與研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小恒溫晶振OCXO本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬用表等設(shè)備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿足-50~+80℃測(cè)試要求，箱內(nèi)的測(cè)量圈設(shè)有50個(gè)工位，每個(gè)工位通過5根導(dǎo)線連接一個(gè)待測(cè)補(bǔ)償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.，溫度補(bǔ)償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。