溫補晶振，恒溫晶振，壓控晶振，普通鐘振，這些都是有源晶振，所以有源晶振肯定需要電源加入才能工作。恒溫晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會隨著溫度的變化而變化，故為了保持頻率的穩(wěn)定性，將晶振控制在一個恒定的溫度下工作以此來提高晶振的相頻特性。CIMAKE晶振溫度補償晶體振蕩器溫度補償晶體振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器CIMAKE晶振

出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準的電壓供壓控電壓用，這個精準的電壓就是參考電壓。6）輸出波形（Outputwaveform）正弦:負載能力方波:上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網(wǎng)絡(luò)分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求，補償電壓自動測試過程如下：將未裝配補償網(wǎng)絡(luò)的待測半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開電源，運行程序，進行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進）；點擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動回0號參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進1,根據(jù)1號位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結(jié)果，同時記錄振蕩器內(nèi)為溫補網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量，直到所有工位測試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測試；繼續(xù)升溫，保溫、測量，直至全部溫度點測試完畢，一個測試過程完成。

CIMAKE晶振隨著各種高端智能產(chǎn)品的火爆,電子元器件也從中分到了一杯羹.晶振是一個典型的例子.晶振是百分之八十以上電子產(chǎn)品的核心命脈.假如沒有晶振的支持絕大部分電子相關(guān)智能產(chǎn)品將會陷入癱瘓然而引起嚴重后果.隨著電子產(chǎn)品的變化晶振也在不斷的更新?lián)Q代.從以前的大體積到現(xiàn)在的超小超薄型貼片晶振成為市場主流是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標準VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉(zhuǎn)使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長.TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO之間的中間位置(在某些情況下,重疊某些OCXO性能).,在整個變化中對于行業(yè)的技術(shù)來說是一項極大的挑戰(zhàn).由于市場的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌帶領(lǐng)整個行業(yè)邁向科技前沿,研發(fā)新型技術(shù),更新生產(chǎn)設(shè)備,制造高精度晶體來滿足市場需求.由于高端智能產(chǎn)品的涌現(xiàn),對于各種元器件的要求也是極高.溫補晶振、壓控晶振逐步被眾多高端市場所選用,但是溫補、壓控晶振使技術(shù)更加提升,成本也是相對增加.作為一名晶振銷售人員,很多采購并不知道在選擇晶振的時候該注意哪一些特性.才能夠在使用的過程中讓產(chǎn)品變得更加穩(wěn)定.在此我為大家對于一些重要的特性經(jīng)行了簡述:

CIMAKE晶振溫補振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：（1）直接補償型直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的CIMAKE晶振圖4.直接補償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進行濾波,然后用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負載,再次導(dǎo)致頻率變化.。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。